英飞凌用体硅工艺制造出来的晶体管和晶体管逻辑器件在集成能力上是最好的，与砷化镓和氮化镓相比，这套工艺不需要额外的氧化层，也不需要不同的材料作为晶圆加工的一部分，这意味着生产成本可以控制在非常低的水平，而且也能实现电路板板上空间受限的设计，这是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性能的成熟技术。【←八【←八【←读【←书，.2↘

　　现阶段来说中晶微掌握得最好的工艺技术是FinFet工艺，在传统的金属氧化物半导体结构晶体管和晶体管逻辑器件上的工艺还是欠缺些，这方面万国商业机器公司和英特尔德州仪器这样的传统晶圆大厂在这方面有着大量的技术专利，形成了无比坚固的专利壁垒。

　　而且这些公司这么多年来不断地在传统的架构上进行改良，其中就包括利用高K电介质减少漏电，再一个就是利用了应变硅技术，还有利用金属栅极应对多元消耗的技术。

　　英特尔这方面技术是做得最好的，现在已经是开始将高K电介质和金属栅极技术引入了自己45纳米工艺制程节点。

　　谭云松带领的技术团队在加入中晶微后主攻的方向是FinFet和soi这两种工艺，因为这两种工艺都是新结构，受国外的技术限制少，但也不意味着公司就没有在传统的金属氧化物半导体结构工艺上下功夫。

　　不过国内在这方面欠账很多，这需要耗费大量的精力，只能是通过招募这方面的技术人员过来培养技术团队。

　　中晶微在FinFet工艺的基础上也是提出了soi结构工艺，这两种结构的主要结构都是薄体，因此栅极电容更接近整个通道，本体很薄，大约在10纳米以下，所以没有离栅极很远的泄漏路径，栅极可有效控制泄漏。→?八→.?八**读??书，.↓.o≥

　　现在公司FinFet结构工艺可以在体硅或soi晶片上实现，提供了超过体硅金属氧化物半导体结构的许多优点，给定晶体管占空比的更高的驱动电流，更高的速度，更低的泄漏，更低的功耗，无随机的掺杂剂波动，因此晶体管的移动性和尺寸更好，但是工艺成本上还是比金属氧化物半导体结构工艺的芯片成本要高。

　　而绝缘体上硅，也就是soi结构工艺和传统金属氧化物半导体结构的主要区别在于：soi器件具有掩埋氧化层，其将基体与衬底隔离，也就是晶圆片的不同，soi晶圆片的硬度比体硅的要高很多，而且它非常难以控制整个晶圆上的锡硅膜，而且要要用到特别精密的专用设备将晶片减薄到100纳米以下，可见起征点难度。

　　相比较而言，FinFet工艺缺点之一是其复杂的制造工艺，而soi工艺的绊

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